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HBM3 vs HBM3E: 기술의 진화, 산업의 전쟁[시리즈 2]  1탄에서 HBM(High Bandwidth Memory: 고 대역폭 메모리)의 개념과 수요 전망을 조명했습니다. 이번 2탄에서는 그 흐름을 이어받아 HBM3와 HBM3E의 기술적 차이, 제조 난이도, 국내 업체 대응, 경제적 효과 등을  살펴봅니다.  이제 HBM은 메모리를 넘어서, AI 시대의 패권을 가르는 핵심 기술 로 자리잡고 있습니다. 우리 기업들은 4세대 5세대를 지나 6,7세대로 진화하는 기술적인 도약을 보게 될 것이라는 확신을 가지면서.. 1. HBM3 vs HBM3E – 속도 차이를 넘어선 구조적 진화 HBM3는 AI 가속기 수요에 힘입어 본격적인 대세로 부상한 제품입니다.  곧이어 등장한 HBM3E는 속도뿐 아니라 발열, 신뢰성, 제조 효율 등 전방위 개선을 이룬 ‘완성형’ HBM 입니다. 제조 공정 편의상  HBM3는  4세대로 말 하며 HBM3E는 5세대로 분류 합니다. 구분 HBM3   HBM3E 대역폭 최대 819 GB/s  최대 1.2 TB/s 속도 6.4~6.8 Gbps/pin  8.0~9.2 Gbps/pin 스택 높이 최대 12Hi  최대 12Hi, 16Hi 시도 중 전력 고속구동 시 발열 부담   전력 효율 및 발열 개선 적용 H100, MI300 등  H200, B100 등 최신 GPU HBM3E는 속도만 ‘더 빠른 HBM3’가 아니라, AI 가속기의 열,신호 안정성을 고려해 설계된 고급형 사양 입니다. HBM3,HBM3E,속도차이,구조적진화,AI반도체, #HBM3양산 #HBM3E양산 주의 : 기술 자료가 아니며 글에 대한 시각적 도우미 표현입니다 2. 기술적 원리 – 대역폭을 키운 방법은?